一、ITO是什么？
ITO＝Indium Tin Oxide(In2O3＋SnO2)
ITO的成分＝90wt% In2O3与10wt% SnO2 混合物
二、金属特性
金属导电的原因：金属键之键结力不强， 电子受到外加电位即可自由运动，形成电子流。
金属不透明的原因：光波被高密度之电子 吸收与反射。
三、氧化物特性
氧化物绝缘的原因：氧化物为金属与氧气 反应形成共价键，键结中无自由电子，因此不导电。
氧化物透明的原因：原子键结的空隙中无 自由电子，故光波可穿透氧化物结构。
四、透明导电氧化物
氧化物结构中含有氧原子之缺陷，使自由 電子可在這些缺陷中運動，因此可以導 电，但由于自由电子之密度不高，因此导 电度不如金属。
由于自由电子之密度不高，因此可以透 光，但透光率不如致密氧化物。
五、透光率与导电率之关系
ITO薄膜在可见光之范围内，镀膜之透光率 与导电镀约略成反比之关系；例如，当镀 膜面电阻率在10Ω/sq以下时，可见光透光 率可达80﹪，但当透光率欲达90﹪以上， 面电阻率必须提高至100Ω/sq以上。
六、ITO镀膜制程
1. 凝胶法(Sol-Gel)：
首先将ITO成分之粉末以液态之分散剂均匀悬浮于 液体中，再以旋镀(Spinning Coating)或浸镀
(Dipping)之方式于被镀物表面形成一层液态薄膜， 其厚度约在1μm左右，最后再以高温将液体蒸发， 并将ITO粉末烧结成为致密薄膜状。
2. 磁控溅射法：
利用磁控溅射方式将ITO靶材原料沈积至基材上。
3. 基材
玻璃
透明塑料：PC、PET
七、ITO镀膜特性
1. 面电阻率
镀膜厚度≒150nm以上，面电阻率可低于50Ω／sq
2. 透光率
膜厚不同，透光率变化情形
3. 透光率与膜厚
4. 镀膜成分变化
长时间溅镀，造成镀膜中氧含量降低，经导致镀膜品 质难以控制，因此有必要于制程中加入适量之氧气。
5. 面电阻率与氧气分量
6. 透光率与氧气分量
7. 检验标准
8. 应用载具
ITO薄膜(PET/ITO)
LCD荧幕(Glass/ITO)
触控面板
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